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三極管和MOS管的幾大區別

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三極管和MOS管的幾大區別

發布日期:2018-09-13 作者: 點擊:

  1、工作性質:三極管電流控制,MOS管屬于電壓控制。


  2、成本問題:三極管便宜,MOS管昂貴。


  3、功耗:三極管損耗。


  4、驅動能力:常用于功率開關的MOS管和大電流局部開關電路


  晶體管更便宜,更容易使用。它們通常用于數字電路的開關控制。


  MOS晶體管用于高頻和高速電路、大電流應用以及對基極或漏極控制電流敏感的區域。


  MOS晶體管不僅可以用作開關電路,還可以用作模擬放大器,因為在一定范圍內柵極電壓的變化會引起漏導電阻的變化。


  兩者的主要區別在于雙極晶體管是電流控制裝置(較大的集電極電流由基座上的較小電流控制),MOS晶體管是電壓控制裝置(源漏導通電阻由柵極電壓控制)。


  MOS晶體管(FET)具有低導通電阻,柵極驅動不需要電流,損耗低,驅動電路簡單,具有保護二極管,良好的熱阻特性,適合大功率并聯,缺點是開關速度不高,比較昂貴。


  三極管的開關速度很高,大的晶體管IC可以做很多,缺點是損耗大,基極驅動電流大,驅動復雜。


  一般來說,對于低成本的應用,三極管在一般的應用中應該首先考慮。如果不是,應考慮MOS管。


  事實上,認識到當前的控制是緩慢的和電壓控制是快速的是錯誤的。為了真正理解雙極型晶體管和MOS晶體管的工作模式,我們可以理解。晶體管是由載流子的運動作用的。例如,NPN發射極跟隨器,無論有沒有施加到基極的電壓,由基極區域和發射極區域組成的PN結都防止許多電子的擴散(基極區域是空穴,發射極區域是電子)。在PN結處,靜電場(即內置電場)從發射極區域感應到基極區域。當基極施加的正電壓指向基極區域,并且由基極施加的電壓產生的電場大于內置電場時,基極區域中的載流子(電子)可以從基極區域流向發射區域。該電壓的最小值是pn結的正向導通電壓(在工程中通常被認為是0.7V)。但是每個pn結兩側都會有電荷。如果集電極-發射極電壓為正,則在電場的作用下,發射極區中的電子將向基區移動。因為基區寬度很小,電子可以很容易地穿過基區到集電極區,并且在這里PN上有空穴。為了維持平衡,在正電場的作用下,集電區內的電子加速外部集電體的移動,而空穴在PN結處移動,這與雪崩過程類似。集電極的電子通過功率源回到發射極,這是晶體管的工作原理。當晶體管工作時,兩個pn結都會引起電荷。當開關接通時,晶體管飽和。如果晶體管被切斷,由pn結引起的電荷將恢復平衡。這個過程需要時間。MOS晶體管以不同的方式工作,因此不能用作高速開關管。


 ?。?)場效應晶體管是電壓控制元件,晶體管是電流控制元件。當從信號源允許更少的電流時,應當選擇FET,當信號電壓較低時,應當選擇晶體管,并且當從信號源允許更多電流時,應當選擇晶體管。


  (2)MOSFET使用大多數載流子導電,因此它們被稱為單極器件,而晶體管僅使用少數載流子導電。它被稱為雙極器件。


 ?。?)一些FET的源極和漏極可以互換使用,柵極電壓可以是正的或負的,并且柔性優于晶體管。


  (4)FET可以在非常低的電流和電壓條件下工作,并且其制造工藝可以容易地將許多FET集成在單個硅片上,因此FET在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。


 ?。?)FET因其輸入阻抗高、噪聲低而廣泛應用于各種電子器件中。特別是采用FET作為整個電子設備的輸入級,可以得到普通晶體管無法達到的性能。


  (6)場效應晶體管主要分為兩類:結型和絕緣柵型,控制原理相同。


  其他比較:


  1。三極管是一個雙極管,即管的內部由兩種載流子:空穴和自由電子參與。FET是單極管,也就是說,當管工作時,要么只有空穴,要么只有自由電子參與傳導,只有一個載體。


  2和三極管屬于電流控制裝置,輸入電流具有輸出電流。場效應晶體管是一種無輸入電流和輸出電流的電壓控制裝置。


  3,晶體管的輸入阻抗小,場效應晶體管的輸入阻抗大。


  4、一些場效應晶體管的源極和漏極可以互換,三極管集電極和發射極不能互換。


  5,FET的頻率特性不如三極管好。


  6。FET具有低噪聲系數,適用于低噪聲放大器的前置放大器級。


  7,如果信號電流較低,則應該選擇FET。

  以上就是樂晨的小編帶領大家人的三極管和MOS管之間的區別,你了解了嗎?

  


本文網址:http://www.grahamemorris.com/news/471.html

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